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4F Square 架构全球首产：消息称三星突破 10 纳米 DRAM 瓶颈_蜘蛛资讯网
nnel Transistor，直译为垂直通道晶体管，是一种创新的晶体管结构设计，通过将晶体管的通道方向由水平改为垂直，让电荷存储电容可以直接堆叠在晶体管上方。这种立体结构有效缩短了单元间距，打破了传统平面结构的微缩瓶颈，是实现 4F Square 高密度单元的基础。图源：三星10a 工艺被视为 DRAM 进入 10nm 以下节点的首代技术，其实际电路线宽约为 9.5 至 9.7nm。相比当前主流
片面积内容纳更多单元，从而显著提升存储密度，是实现 DRAM 高密度微缩的关键技术路径。而 VCT 全称为 Vertical Channel Transistor，直译为垂直通道晶体管，是一种创新的晶体管结构设计，通过将晶体管的通道方向由水平改为垂直，让电荷存储电容可以直接堆叠在晶体管上方。这种立体结构有效缩短了单元间距，打破了传统平面结构的微缩瓶颈，是实现 4F Square 高密度单元的基础。
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发布时间：06:07:45
